창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR2905ZTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(R,U)2905ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 36A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1380pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001575886 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR2905ZTRLPBF | |
관련 링크 | IRFR290, IRFR2905ZTRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
RDER73A224MUE1H03A | 0.22µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.303" L x 0.157" W(7.70mm x 4.00mm) | RDER73A224MUE1H03A.pdf | ||
![]() | 12103G105ZAT2A | 1µF 25V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12103G105ZAT2A.pdf | |
![]() | C1812C334J5RALTU | 0.33µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C334J5RALTU.pdf | |
![]() | SR215A681FAR | 680pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR215A681FAR.pdf | |
![]() | VJ0805D130FXCAP | 13pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D130FXCAP.pdf | |
![]() | GRM1885C2A7R4DZ01D | 7.4pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A7R4DZ01D.pdf | |
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