Infineon Technologies IRFR3410TRPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFR3410TRPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFR3410TRPBF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 511.50528
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFR3410TRPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFR3410TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3410TRPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFR3410TRPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFR3410TRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR3410TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRFR/IRFU3410PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFR3410PBF Saber Model IRFR3410PBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1690pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | IRFR3410TRPBF-ND SP001578202 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR3410TRPBF | |
| 관련 링크 | IRFR34, IRFR3410TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFR3410TRPBF 의 관련 제품
 | B43520A5567M | 560µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - 5 Lead 200 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C | B43520A5567M.pdf | |
 | P6KE200CAHE3/54 | TVS DIODE 171VWM 274VC DO204AC | P6KE200CAHE3/54.pdf | |
 | ABM3-24.000MHZ-B2-T | 24MHz ±20ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | ABM3-24.000MHZ-B2-T.pdf | |
 | ECS-200-20-4VX | 20MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-200-20-4VX.pdf | |
 | PBRC-6.75AR | 6.75MHz Ceramic Resonator ±0.3% 30 Ohm -20°C ~ 80°C Surface Mount | PBRC-6.75AR.pdf | |
| 160R-421JS | 430nH Unshielded Inductor 860mA 170 mOhm Max 2-SMD | 160R-421JS.pdf | |
 | ERJ-8ENF1582V | RES SMD 15.8K OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-8ENF1582V.pdf | |
 | CRCW25123K32FKEG | RES SMD 3.32K OHM 1% 1W 2512 | CRCW25123K32FKEG.pdf | |
 | RG3216P-8870-B-T1 | RES SMD 887 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-8870-B-T1.pdf | |
 | RCP0505W220RJWB | RES SMD 220 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505W220RJWB.pdf | |
.jpg) | TNPW201015K0BEEF | RES SMD 15K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201015K0BEEF.pdf | |
| MS46SR-14-435-Q2-10X-10R-NC-AN | SYSTEM | MS46SR-14-435-Q2-10X-10R-NC-AN.pdf |
