창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR3518TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFR3518PbF, IRFU3518PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR3518PBF Saber Model IRFR3518PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1710pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRFR3518TRPBF-ND IRFR3518TRPBFTR SP001573380 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR3518TRPBF | |
관련 링크 | IRFR35, IRFR3518TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | ERJ-S14F3161U | RES SMD 3.16K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-S14F3161U.pdf | |
![]() | PHP00603E1102BST1 | RES SMD 11K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1102BST1.pdf | |
![]() | CRCW06039R31FKTA | RES SMD 9.31 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06039R31FKTA.pdf | |
![]() | ANT2525B00DT1516S | 1.6GHz GLONASS, GPS Ceramic Patch RF Antenna 1.575GHz ~ 1.606GHz 4.94dBi, 4.92dBi Pin Surface Mount | ANT2525B00DT1516S.pdf |