창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR3607TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(R,U)3607PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR3607PBF Saber Model IRFR3607PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Wafer Source 11/Nov/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1517 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3070pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRFR3607TRPBFTR SP001567010 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR3607TRPBF | |
관련 링크 | IRFR36, IRFR3607TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | SMH35VN123M30X35T2 | 12000µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 35 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | SMH35VN123M30X35T2.pdf | |
![]() | CPDQ12V0U-HF | TVS DIODE 12VWM 13.7VC SOD923F | CPDQ12V0U-HF.pdf | |
![]() | STGWT28IH125DF | IGBT 1250V 60A 375W TO-3P | STGWT28IH125DF.pdf | |
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![]() | CRGS2010J2K2 | RES SMD 2.2K OHM 5% 3/4W 2010 | CRGS2010J2K2.pdf | |
![]() | RNF12FTD174K | RES 174K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD174K.pdf | |
![]() | H430K1BYA | RES 30.1K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H430K1BYA.pdf | |
![]() | NPC-1210-050G-3-N | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.23mm) Tube 0 mV ~ 100 mV 8-DIP Module | NPC-1210-050G-3-N.pdf |