창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR3704ZTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFR3704ZPbF, IRFU3704ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 11/May/2016 Mult Dev EOL 15/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.55V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRFR3704ZTRPBF-ND IRFR3704ZTRPBFTR SP001552150 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR3704ZTRPBF | |
관련 링크 | IRFR370, IRFR3704ZTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | ASTMHTV-48.000MHZ-AC-E-T | 48MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-48.000MHZ-AC-E-T.pdf | |
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![]() | RG2012N-162-W-T5 | RES SMD 1.6K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-162-W-T5.pdf | |
![]() | RT2512BKE075K62L | RES SMD 5.62K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE075K62L.pdf | |
![]() | RG1005V-2740-P-T1 | RES SMD 274 OHM 0.02% 1/16W 0402 | RG1005V-2740-P-T1.pdf | |
![]() | 93J150 | RES 150 OHM 3.25W 5% AXIAL | 93J150.pdf | |
![]() | P51-1000-S-B-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-S-B-M12-4.5OVP-000-000.pdf |