Infineon Technologies IRFR3710ZTRPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFR3710ZTRPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFR3710ZTRPBF 가격 및 조달
가능 수량
13150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 785.79072
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFR3710ZTRPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFR3710ZTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3710ZTRPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFR3710ZTRPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFR3710ZTRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR3710ZTRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRFR3710ZPbF, IRFU3710ZPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 33A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2930pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | IRFR3710ZTRPBF-ND IRFR3710ZTRPBFTR SP001560638 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR3710ZTRPBF | |
| 관련 링크 | IRFR371, IRFR3710ZTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFR3710ZTRPBF 의 관련 제품
 | 80LSW56000MEFC77X121 | 56000µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 3000 Hrs @ 105°C | 80LSW56000MEFC77X121.pdf | |
.jpg) | GQM1875C2E560GB12D | 56pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GQM1875C2E560GB12D.pdf | |
 | T491D686K016AT | 68µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 700 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T491D686K016AT.pdf | |
 | SMBJ5.0CAHE3/5B | TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB | SMBJ5.0CAHE3/5B.pdf | |
 | ABM3B-20.000MHZ-B2-T | 20MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3B-20.000MHZ-B2-T.pdf | |
 | SIT8008BC-13-33E-5.099200D | OSC XO 3.3V 5.0992MHZ OE | SIT8008BC-13-33E-5.099200D.pdf | |
| TB-57.849MCD-T | 57.849MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V Enable/Disable | TB-57.849MCD-T.pdf | |
-2.50-mm-x-2.00-mm.jpg) | DSC1004DI5-066.6660T | 66.666MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 ~ 3.3V 8mA Standby (Power Down) | DSC1004DI5-066.6660T.pdf | |
 | ALD910016SAL | MOSFET DUAL SAB 1.60V EE 8SOIC | ALD910016SAL.pdf | |
| PTKM150-40SM | 150µH Shielded Toroidal Inductor 1.45A 190 mOhm Max Nonstandard | PTKM150-40SM.pdf | |
 | PCF0402R-1K0BT1 | RES SMD 1K OHM 0.1% 1/16W 0402 | PCF0402R-1K0BT1.pdf | |
 | 4310R-102-332 | RES ARRAY 5 RES 3.3K OHM 10SIP | 4310R-102-332.pdf |
