창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR4104PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFR4104PbF, IRFU4104PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRFR4104PBF Saber Model IRFR4104PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 42A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 89nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2950pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 94-4297PBF 94-4297PBF-ND SP001575910 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR4104PBF | |
관련 링크 | IRFR4, IRFR4104PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
USA1C220MDD | 22µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | USA1C220MDD.pdf | ||
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MC22FF431G-TF | 430pF Mica Capacitor 1000V (1kV) 2220 (5750 Metric) 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm) | MC22FF431G-TF.pdf | ||
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MNR04M0ABJ750 | RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804 | MNR04M0ABJ750.pdf | ||
RSF12GB470R | RES MO 1/2W 470 OHM 2% AXIAL | RSF12GB470R.pdf | ||
DA14580ATDB-P | PRO DAUGHTERBOARD DA14580 QFN40 | DA14580ATDB-P.pdf | ||
TSOP32136 | 3V PH.MODULE 36KHZ S.VIEW | TSOP32136.pdf |