창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR6215TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFR6215PbF, IRFU6215PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 02/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 295m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | IRFR6215TRLPBF-ND SP001565112 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR6215TRLPBF | |
관련 링크 | IRFR621, IRFR6215TRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | ECW-FE2W684K | 0.68µF Film Capacitor 450V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | ECW-FE2W684K.pdf | |
![]() | 1-1879065-7 | 22µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 250 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 1-1879065-7.pdf | |
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![]() | 0235.200HXE | FUSE GLASS 200MA 250VAC 5X20MM | 0235.200HXE.pdf | |
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![]() | NST3904DXV6T5G | TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563 | NST3904DXV6T5G.pdf | |
![]() | CRCW25123K92FKTG | RES SMD 3.92K OHM 1% 1W 2512 | CRCW25123K92FKTG.pdf | |
![]() | HRG3216P-1022-D-T1 | RES SMD 10.2K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-1022-D-T1.pdf | |
![]() | MBB02070C2371FC100 | RES 2.37K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2371FC100.pdf |