창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR9210PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFR9210, IRFU9210 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR9210PBF | |
관련 링크 | IRFR9, IRFR9210PBF Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
CC1206KRX7RABB102 | 1000pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206KRX7RABB102.pdf | ||
06031A6R2DAT2A | 6.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A6R2DAT2A.pdf | ||
BFC237534512 | 5100pF Film Capacitor 500V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | BFC237534512.pdf | ||
KTK-R-1/2 | FUSE CARTRIDGE 500MA 600VAC 5AG | KTK-R-1/2.pdf | ||
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402F54022IKR | 54MHz ±20ppm 수정 8pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F54022IKR.pdf | ||
416F320X3ISR | 32MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F320X3ISR.pdf | ||
1N3611GP-M3/54 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | 1N3611GP-M3/54.pdf | ||
EL817(M)(C) | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP | EL817(M)(C).pdf | ||
P2RF-05 | Relay Socket DIN Rail | P2RF-05.pdf | ||
H8332RBYA | RES 332 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8332RBYA.pdf | ||
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