창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS23N20DTRLP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFB23N20DPbF, IRFS(L)23N20DPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | D2Pak Additional Assembly Site 13/Dec/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS23N20DTRLP-ND IRFS23N20DTRLPTR SP001571644 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS23N20DTRLP | |
관련 링크 | IRFS23N, IRFS23N20DTRLP Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 1812R-823K | 82µH Unshielded Inductor 169mA 7 Ohm Max 2-SMD | 1812R-823K.pdf | |
![]() | RNCP1206FTD39K2 | RES SMD 39.2K OHM 1% 1/2W 1206 | RNCP1206FTD39K2.pdf | |
![]() | MCW0406MD9311BP100 | RES SMD 9.31K OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD9311BP100.pdf | |
![]() | Y162513K7000Q23R | RES SMD 13.7KOHM 0.02% 0.3W 1206 | Y162513K7000Q23R.pdf | |
![]() | CRCW12062K21FKTB | RES SMD 2.21K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12062K21FKTB.pdf | |
RSMF12JTR510 | RES MO 1/2W 0.51 OHM 5% AXIAL | RSMF12JTR510.pdf | ||
![]() | WW12JTR130 | RES 0.13 OHM 0.4W 5% AXIAL | WW12JTR130.pdf | |
![]() | CMF55118K00BEEB70 | RES 118K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55118K00BEEB70.pdf |