창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS23N20DTRRP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFB23N20DPbF, IRFS(L)23N20DPbF | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | D2Pak Additional Assembly Site 13/Dec/2013 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | * | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001565068 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS23N20DTRRP | |
관련 링크 | IRFS23N, IRFS23N20DTRRP Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | BK/C519-1-R | FUSE GLASS 1A 250VAC 2AG | BK/C519-1-R.pdf | |
![]() | RACM65-48S-ST | CONV AC/DC 65W 85-264VIN 48VOUT | RACM65-48S-ST.pdf | |
![]() | 744235801 | 1.3µH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 800 Ohm @ 100MHz 1A DCR 120 mOhm | 744235801.pdf | |
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![]() | AT0805DRE0749R9L | RES SMD 49.9 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE0749R9L.pdf | |
![]() | PAT0603E79R6BST1 | RES SMD 79.6 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E79R6BST1.pdf | |
![]() | RCP2512W11R0GWB | RES SMD 11 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W11R0GWB.pdf | |
![]() | D2TO035C26000JTE3 | RES SMD 2.6K OHM 5% 35W TO263 | D2TO035C26000JTE3.pdf |