창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS3207PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(B,L,S)3207PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB3207PBF Saber Model IRFB3207PBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 D2Pak Additional Assembly Site 13/Dec/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 170A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 260nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7600pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001550104 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS3207PBF | |
관련 링크 | IRFS3, IRFS3207PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | MMWA05W1K | 1µF Film Capacitor 35V 50V Polyester, Metallized Axial 0.335" Dia x 1.000" L (8.50mm x 25.40mm) | MMWA05W1K.pdf | |
![]() | SS-5-1A-AP | FUSE BOARD MNT 1A 250VAC RADIAL | SS-5-1A-AP.pdf | |
![]() | ABL-4.000MHZ-B4Y-T | 4MHz ±30ppm 수정 18pF 180옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ABL-4.000MHZ-B4Y-T.pdf | |
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![]() | ERJ-1GNF1433C | RES SMD 143K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GNF1433C.pdf | |
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![]() | 741X083272JP | RES ARRAY 4 RES 2.7K OHM 0804 | 741X083272JP.pdf | |
![]() | WW1FT1K62 | RES 1.62K OHM 1W 1% AXIAL | WW1FT1K62.pdf |