창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS3306TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(B,S,SL)3306PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB3306PBF Saber Model IRFB3306PBF Spice Model | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Wafer Source 11/Nov/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1516 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4520pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS3306TRLPBFTR SP001568056 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS3306TRLPBF | |
관련 링크 | IRFS330, IRFS3306TRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
UKL1A151KPDANATD | 150µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UKL1A151KPDANATD.pdf | ||
MAL213248331E3 | 330µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 340 mOhm @ 100Hz 15000 Hrs @ 85°C | MAL213248331E3.pdf | ||
DEC1X3J150JA3B | 15pF 6300V(6.3kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | DEC1X3J150JA3B.pdf | ||
C907U120JYNDBAWL20 | 12pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U120JYNDBAWL20.pdf | ||
B32021A3102M | 1000pF Film Capacitor 300V 1500V (1.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.512" L x 0.157" W (13.00mm x 4.00mm) | B32021A3102M.pdf | ||
MKP385347063JDM2B0 | 0.047µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | MKP385347063JDM2B0.pdf | ||
0TLS010.TXLB | FUSE CRTRDGE 10A 170VDC CYLINDR | 0TLS010.TXLB.pdf | ||
9HT11-32.768KAZC-T | 32.768kHz ±30ppm 수정 9pF 90k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 9HT11-32.768KAZC-T.pdf | ||
ASTMUPCV-33-19.200MHZ-LY-E-T | 19.2MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCV-33-19.200MHZ-LY-E-T.pdf | ||
511QAA-BBAG | 125MHz ~ 169.999MHz CMOS, Dual (Complimentary) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 26mA Enable/Disable | 511QAA-BBAG.pdf | ||
RT0402FRE073K65L | RES SMD 3.65K OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRE073K65L.pdf | ||
Y0007496R550Q9L | RES 496.55 OHM 0.6W 0.02% RADIAL | Y0007496R550Q9L.pdf |