창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS33N15DTRLP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFB, IRFS(L)33N15D | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 56m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2020pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001573500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS33N15DTRLP | |
관련 링크 | IRFS33N, IRFS33N15DTRLP Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | C1608C0G1H060C080AA | 6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G1H060C080AA.pdf | |
![]() | CL21B104JBCNNND | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21B104JBCNNND.pdf | |
![]() | C1808C100MGRACTU | 10pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.185" L x 0.079" W(4.70mm x 2.00mm) | C1808C100MGRACTU.pdf | |
![]() | T95D685K050CZSS | 6.8µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 50V 2917 (7343 Metric) 820 mOhm 0.293" L x 0.170" W (7.44mm x 4.32mm) | T95D685K050CZSS.pdf | |
![]() | 13008-001KESB | 470µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 4V 3017 (7644 Metric) 60 mOhm 0.299" L x 0.173" W (7.60mm x 4.40mm) | 13008-001KESB.pdf | |
![]() | MF72-003D20 | ICL 3 OHM 20% 8A 22.5MM | MF72-003D20.pdf | |
![]() | 445A22A24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 10pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A22A24M57600.pdf | |
![]() | 416F36035AKR | 36MHz ±30ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36035AKR.pdf | |
![]() | 2SC3649S-TD-E | TRANS NPN 160V 1.5A SOT89-3 | 2SC3649S-TD-E.pdf | |
![]() | MCR03EZPJ305 | RES SMD 3M OHM 5% 1/10W 0603 | MCR03EZPJ305.pdf | |
![]() | RT1210FRE076R04L | RES SMD 6.04 OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRE076R04L.pdf | |
![]() | CRCW12061M00JNEB | RES SMD 1M OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW12061M00JNEB.pdf |