창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS3806TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(B,S,SL)3806PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB3806PBF Saber Model IRFB3806PBF Spice Model | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 Additional Wafer Source 11/Nov/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1516 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.8m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1150pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS3806TRLPBFTR SP001573492 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS3806TRLPBF | |
관련 링크 | IRFS380, IRFS3806TRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
LNY2W123MSEJ | 12000µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | LNY2W123MSEJ.pdf | ||
UST1H0R1MDD1TE | 0.1µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UST1H0R1MDD1TE.pdf | ||
VJ1825Y154JBEAT4X | 0.15µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y154JBEAT4X.pdf | ||
SPHV24-01ETG | TVS DIODE 24VWM 50VC SOD882 | SPHV24-01ETG.pdf | ||
416F2701XCDR | 27MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F2701XCDR.pdf | ||
416F38033CTR | 38MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38033CTR.pdf | ||
416F25023ITT | 25MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25023ITT.pdf | ||
MAZD06800L | DIODE ZENER 6.8V 120MW SSSMINI2 | MAZD06800L.pdf | ||
CRCW1210191RFKEA | RES SMD 191 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW1210191RFKEA.pdf | ||
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RT0402BRE0723R2L | RES SMD 23.2 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE0723R2L.pdf | ||
RSF2JT390R | RES MO 2W 390 OHM 5% AXIAL | RSF2JT390R.pdf |