창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS4010TRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFS(L)4010PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Wafer Source 11/Nov/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 06/Oct/2014 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 106A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 215nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9575pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001576222 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS4010TRRPBF | |
관련 링크 | IRFS401, IRFS4010TRRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
500R07S2R7AV4T | 2.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 500R07S2R7AV4T.pdf | ||
K684M20X7RF53L2 | 0.68µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K684M20X7RF53L2.pdf | ||
VJ2220Y334KBBAT4X | 0.33µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y334KBBAT4X.pdf | ||
GRM1555C1H4R2WZ01D | 4.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H4R2WZ01D.pdf | ||
QXP2E155JRPT | 1.5µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.465" W (26.50mm x 11.80mm) | QXP2E155JRPT.pdf | ||
LTP300 | POLYSWITCH STRAP 3.0A HOLD | LTP300.pdf | ||
416F44012IAR | 44MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44012IAR.pdf | ||
510LAA-AAAG | 100kHz ~ 124.999MHz HCSL XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 44mA Enable/Disable | 510LAA-AAAG.pdf | ||
BZT52C27-7 | DIODE ZENER 27V 500MW SOD123 | BZT52C27-7.pdf | ||
SZMMBZ5235BLT3G | DIODE ZENER 6.8V 225MW SOT23-3 | SZMMBZ5235BLT3G.pdf | ||
3EZ22D5-TP | DIODE ZENER 22V 3W DO15 | 3EZ22D5-TP.pdf | ||
RCP0603B36R0GTP | RES SMD 36 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B36R0GTP.pdf |