창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS4115PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFS(L)4115PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFS4115PBF Saber Model IRFS4115PBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 06/Oct/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.1m옴 @ 62A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5270pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 64-2135PBF 64-2135PBF-ND SP001565010 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS4115PBF | |
관련 링크 | IRFS4, IRFS4115PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
CEU3E2X7R1H472M080AE | 4700pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CEU3E2X7R1H472M080AE.pdf | ||
ML03V14R3BAT2A | 4.3pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.033" W(1.60mm x 0.84mm) | ML03V14R3BAT2A.pdf | ||
06031C391JAT2A | 390pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031C391JAT2A.pdf | ||
445W25K24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 8pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W25K24M57600.pdf | ||
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