창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS4115TRL7PP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFS4115-7PPBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1519 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 105A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.8m옴 @ 63A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5320pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 380W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS4115TRL7PPTR SP001550134 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS4115TRL7PP | |
관련 링크 | IRFS411, IRFS4115TRL7PP Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | SMCJ7.5CA-HR | TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC | SMCJ7.5CA-HR.pdf | |
![]() | FGA30S120P | IGBT 1300V 60A 348W TO3P | FGA30S120P.pdf | |
![]() | SC30R33KT | 330nH Shielded Inductor 900mA 220 mOhm Max Axial | SC30R33KT.pdf | |
![]() | PT150R-1040 | 150µH Unshielded Toroidal Inductor 3.4A 100 mOhm Max Radial | PT150R-1040.pdf | |
![]() | AT0603DRD07787RL | RES SMD 787 OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD07787RL.pdf | |
![]() | PAT0805E2102BST1 | RES SMD 21K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E2102BST1.pdf | |
![]() | TNPW251249K9DHEG | RES SMD 49.9K OHM 0.5% 1/2W 2512 | TNPW251249K9DHEG.pdf | |
![]() | TRAB58003P | 5.5GHz Dome RF Antenna 4.9GHz ~ 6GHz 3dBi Connector, N Female Panel Mount | TRAB58003P.pdf |