창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS4115TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFS(L)4115PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 06/Oct/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1517 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.1m옴 @ 62A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5270pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS4115TRLPBFTR SP001578272 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS4115TRLPBF | |
관련 링크 | IRFS411, IRFS4115TRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
UPS1V221MPD1TD | 220µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPS1V221MPD1TD.pdf | ||
380LX221M350A012 | 220µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 750 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | 380LX221M350A012.pdf | ||
CC1206KRX7R0BB392 | 3900pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206KRX7R0BB392.pdf | ||
CBR02C240G9GAC | 24pF 6.3V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C240G9GAC.pdf | ||
18121C473JAT2A | 0.047µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.126" W(4.57mm x 3.20mm) | 18121C473JAT2A.pdf | ||
B82745C4A6 | RING CORE CHOKE 3X1.3MH 25A | B82745C4A6.pdf | ||
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CJT12002R2JJ | RES CHAS MNT 2.2 OHM 5% 1200W | CJT12002R2JJ.pdf | ||
ERJ-8CWFR030V | RES SMD 0.03 OHM 1% 1W 1206 | ERJ-8CWFR030V.pdf | ||
RC0100FR-07121RL | RES SMD 121 OHM 1% 1/32W 01005 | RC0100FR-07121RL.pdf | ||
RG3216P-1211-B-T1 | RES SMD 1.21K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-1211-B-T1.pdf | ||
H83K32BCA | RES 3.32K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H83K32BCA.pdf |