창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS4127TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFS(L)4127PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 06/Oct/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1517 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 72A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 44A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5380pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS4127TRLPBFTR SP001557360 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS4127TRLPBF | |
관련 링크 | IRFS412, IRFS4127TRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | UPS1V220MDD1TD | 22µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPS1V220MDD1TD.pdf | |
![]() | BFC236545273 | 0.027µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | BFC236545273.pdf | |
![]() | SMAJ440AE3/TR13 | TVS DIODE 440VWM SMAJ | SMAJ440AE3/TR13.pdf | |
![]() | 402F37433CKR | 37.4MHz ±30ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F37433CKR.pdf | |
![]() | VBT3045BP-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO-263AB | VBT3045BP-M3/4W.pdf | |
![]() | PBHV8115Z,115 | TRANS NPN 150V 1A SOT223 | PBHV8115Z,115.pdf | |
![]() | LB2012T4R7MV | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 190mA 400 mOhm 0805 (2012 Metric) | LB2012T4R7MV.pdf | |
![]() | CDRH12D58RNP-680MC | 68µH Shielded Inductor 1.86A 121 mOhm Max Nonstandard | CDRH12D58RNP-680MC.pdf | |
![]() | RT1206CRC07887KL | RES SMD 887K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC07887KL.pdf | |
![]() | TNPW06036K49BEEA | RES SMD 6.49KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06036K49BEEA.pdf | |
![]() | CP00022K200KE66 | RES 2.2K OHM 2W 10% AXIAL | CP00022K200KE66.pdf | |
![]() | CP00153K900KE66 | RES 3.9K OHM 15W 10% AXIAL | CP00153K900KE66.pdf |