창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS4227PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFS4227PbF, IRFSL4227PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFS4227PBF Saber Model IRFS4227PBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 62A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 64-2121PBF 64-2121PBF-ND SP001568040 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS4227PBF | |
관련 링크 | IRFS4, IRFS4227PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | VJ0603D2R1DXBAJ | 2.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R1DXBAJ.pdf | |
![]() | VJ1825Y273KBBAT4X | 0.027µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y273KBBAT4X.pdf | |
![]() | 08055A680GA12A | 68pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A680GA12A.pdf | |
![]() | D270G25C0GL6UJ5R | 27pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D270G25C0GL6UJ5R.pdf | |
![]() | C947U152MZWDAAWL40 | 1500pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | C947U152MZWDAAWL40.pdf | |
![]() | C917U680JZSDBAWL20 | 68pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C917U680JZSDBAWL20.pdf | |
![]() | ECW-F6134HL | 0.13µF Film Capacitor 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.335" W (18.00mm x 8.50mm) | ECW-F6134HL.pdf | |
![]() | MMSZ5255BS-7-F | DIODE ZENER 28V 200MW SOD323 | MMSZ5255BS-7-F.pdf | |
![]() | RCP2512W33R0JED | RES SMD 33 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W33R0JED.pdf | |
![]() | EXB-38V121JV | RES ARRAY 4 RES 120 OHM 1206 | EXB-38V121JV.pdf | |
![]() | CMF5523K400BER670 | RES 23.4K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5523K400BER670.pdf | |
![]() | BM520Q15F-GE2 | Converter Offline Forward Topology 200kHz 8-SOP | BM520Q15F-GE2.pdf |