창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS4227PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFS4227PbF, IRFSL4227PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFS4227PBF Saber Model IRFS4227PBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 62A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 64-2121PBF 64-2121PBF-ND SP001568040 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS4227PBF | |
관련 링크 | IRFS4, IRFS4227PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
LGR2G331MELB50 | 330µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 10000 Hrs @ 105°C | LGR2G331MELB50.pdf | ||
UPJ1E101MED1TA | 100µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPJ1E101MED1TA.pdf | ||
08052U1R8BAT2A | 1.8pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052U1R8BAT2A.pdf | ||
VJ0603D430MLPAJ | 43pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D430MLPAJ.pdf | ||
BFC236521563 | 0.056µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | BFC236521563.pdf | ||
NX5032GA-12.288M-STD-CSK-4 | 12.288MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX5032GA-12.288M-STD-CSK-4.pdf | ||
SIT1602AIA23-33E-10.00000E | OSC XO 3.3V 10MHZ OE | SIT1602AIA23-33E-10.00000E.pdf | ||
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RCP1206B20R0GED | RES SMD 20 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B20R0GED.pdf | ||
20J1K2E | RES 1.2K OHM 10W 5% AXIAL | 20J1K2E.pdf | ||
CMF556K1900DHEB | RES 6.19K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF556K1900DHEB.pdf |