창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS4227TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFS4227PbF, IRFSL4227PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFS4227PBF Saber Model IRFS4227PBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 62A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS4227TRLPBF-ND IRFS4227TRLPBFTR SP001567810 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS4227TRLPBF | |
관련 링크 | IRFS422, IRFS4227TRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 160106K63P-F | 10µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 1.260" L x 0.433" W (32.00mm x 11.00mm) | 160106K63P-F.pdf | |
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![]() | MCR100JZHF4320 | RES SMD 432 OHM 1% 1W 2512 | MCR100JZHF4320.pdf | |
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![]() | MMF-50FRF9K1 | RES SMD 9.1K OHM 1% 1/2W MELF | MMF-50FRF9K1.pdf | |
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![]() | RSF1JT1R80 | RES MO 1W 1.8 OHM 5% AXIAL | RSF1JT1R80.pdf | |
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