창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS4321TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFS(L)4321PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1517 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4460pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 350W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS4321TRLPBFTR SP001565002 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS4321TRLPBF | |
관련 링크 | IRFS432, IRFS4321TRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | TE1500B1K2J | RES CHAS MNT 1.2K OHM 5% 1500W | TE1500B1K2J.pdf | |
![]() | RT1206DRE0746R4L | RES SMD 46.4 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0746R4L.pdf | |
![]() | CRCW1206976KFKEA | RES SMD 976K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206976KFKEA.pdf | |
![]() | 768203101GPTR13 | RES ARRAY 10 RES 100 OHM 20SOIC | 768203101GPTR13.pdf | |
![]() | MRS25000C1800FCT00 | RES 180 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1800FCT00.pdf | |
![]() | H4137KBZA | RES 137K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4137KBZA.pdf | |
![]() | SFB-CB10-EX | CABLE FOR SF-C14EX 10M | SFB-CB10-EX.pdf | |
![]() | P51-2000-A-U-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-A-U-P-4.5V-000-000.pdf |