창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS4321TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFS(L)4321PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1517 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4460pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 350W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS4321TRLPBFTR SP001565002 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS4321TRLPBF | |
관련 링크 | IRFS432, IRFS4321TRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | RL875S-221K-RC | 220µH Shielded Wirewound Inductor 500mA 760 mOhm Max Radial | RL875S-221K-RC.pdf | |
![]() | ERJ-2GEJ682X | RES SMD 6.8K OHM 5% 1/10W 0402 | ERJ-2GEJ682X.pdf | |
![]() | RC1218DK-0724R9L | RES SMD 24.9 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-0724R9L.pdf | |
![]() | PAT0805E7772BST1 | RES SMD 77.7K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E7772BST1.pdf | |
![]() | RCP0603W360RGEA | RES SMD 360 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W360RGEA.pdf | |
![]() | CRCW080526R1FKTA | RES SMD 26.1 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080526R1FKTA.pdf | |
![]() | CMF55138K00BHRE | RES 138K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55138K00BHRE.pdf | |
![]() | CMF6012K700BHR6 | RES 12.7K OHM 1W .1% AXIAL | CMF6012K700BHR6.pdf |