창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS4410ZTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(B,S,SL)4410ZPBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Wafer Source 11/Nov/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 97A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 58A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4820pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS4410ZTRLPBF-ND IRFS4410ZTRLPBFTR SP001567800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS4410ZTRLPBF | |
관련 링크 | IRFS441, IRFS4410ZTRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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293D224X5035A2TE3 | 0.22µF Molded Tantalum Capacitors 35V 1206 (3216 Metric) 15 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | 293D224X5035A2TE3.pdf | ||
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![]() | SIT8008BI-22-33E-24.000000D | OSC XO 3.3V 24MHZ | SIT8008BI-22-33E-24.000000D.pdf | |
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![]() | IHSM4825RE121L | 120µH Unshielded Inductor 660mA 735 mOhm Max Nonstandard | IHSM4825RE121L.pdf | |
![]() | 8552440000 | General Purpose with Socket Relay DPDT (2 Form C) 24VDC Coil DIN Rail | 8552440000.pdf | |
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![]() | RCP0505W360RGET | RES SMD 360 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505W360RGET.pdf | |
![]() | CRCW12066R34FNEB | RES SMD 6.34 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12066R34FNEB.pdf | |
![]() | MBA02040C2151FRP00 | RES 2.15K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C2151FRP00.pdf |