창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS7437TRL7PP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFS7437-7PPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Wafer Process 30/Jul/2013 Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7437pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 231W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-8, D²Pak(7리드(lead)+탭), TO-263CA | |
공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS7437TRL7PPTR SP001557510 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS7437TRL7PP | |
관련 링크 | IRFS743, IRFS7437TRL7PP Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | WW1FT1R74 | RES 1.74 OHM 1W 1% AXIAL | WW1FT1R74.pdf | |
![]() | WW1FT53R6 | RES 53.6 OHM 1W 1% AXIAL | WW1FT53R6.pdf | |
![]() | BD0810J50100AHF | RF Balun 800MHz ~ 1GHz 50 / 100 Ohm 0805 (2012 Metric) | BD0810J50100AHF.pdf |