창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS7787PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(B,S,SL)7787PbF | |
주요제품 | StrongIRFET™ Power MOSFETs Automatic Opening Systems | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 76A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 109nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4020pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263AB) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001576262 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFS7787PBF | |
관련 링크 | IRFS7, IRFS7787PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ0402D820JXXAJ | 82pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D820JXXAJ.pdf | |
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![]() | CW0104K700JE123 | RES 4.7K OHM 13W 5% AXIAL | CW0104K700JE123.pdf | |
![]() | PWD-5526-T2-NNN-79 | RF Power Divider 6GHz ~ 18GHz Isolation (Min) 18dB Module | PWD-5526-T2-NNN-79.pdf | |
![]() | E3X-A21 | SENSOR PHOTO AMP USE W/E32 FIBER | E3X-A21.pdf |