Vishay BC Components IRFS9N60APBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFS9N60APBF
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFS9N60APBF 가격 및 조달
가능 수량
4162 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,500.16840
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFS9N60APBF, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. IRFS9N60APBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS9N60APBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFS9N60APBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFS9N60APBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFS9N60APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRFS9N60A, SiHFS9N60A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRFS9N60APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFS9N60APBF | |
| 관련 링크 | IRFS9N, IRFS9N60APBF Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
IRFS9N60APBF 의 관련 제품
-F.jpg) | CL31C680JIFNFNE | 68pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31C680JIFNFNE.pdf | |
 | VJ0402D220JLXAP | 22pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D220JLXAP.pdf | |
 | AR30HC102K4R | 1000pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | AR30HC102K4R.pdf | |
 | C907U120JYSDCAWL20 | 12pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U120JYSDCAWL20.pdf | |
 | 153MPW250K | 0.015µF Film Capacitor 200V 250V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.217" Dia x 0.571" L (5.50mm x 14.50mm) | 153MPW250K.pdf | |
 | 184473J250RBB-F | 0.047µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.413" L x 0.157" W (10.50mm x 4.00mm) | 184473J250RBB-F.pdf | |
 | MPLAD6.5KP110CA | TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD | MPLAD6.5KP110CA.pdf | |
| SIT8009AC-13-33E-125.000000G | OSC XO 3.3V 125MHZ | SIT8009AC-13-33E-125.000000G.pdf | |
 | SIT3809AC-G-25EB | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 36mA Enable/Disable | SIT3809AC-G-25EB.pdf | |
 | STTH2003CT | DIODE ARRAY GP 300V 10A TO220AB | STTH2003CT.pdf | |
 | 2SD882 | TRANS NPN 30V 3A SOT32 | 2SD882.pdf | |
| 4N26-X001 | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP | 4N26-X001.pdf |
