Infineon Technologies IRFSL4010PBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFSL4010PBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFSL4010PBF 가격 및 조달
가능 수량
3211 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,940.53800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFSL4010PBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFSL4010PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFSL4010PBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFSL4010PBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFSL4010PBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFSL4010PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRFS(L)4010PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 106A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 215nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9575pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-262 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001567760 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFSL4010PBF | |
| 관련 링크 | IRFSL4, IRFSL4010PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFSL4010PBF 의 관련 제품
 | 885012008012 | 100pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 885012008012.pdf | |
 | VJ0402D0R9CXXAJ | 0.90pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R9CXXAJ.pdf | |
 | BFC237075474 | 0.47µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | BFC237075474.pdf | |
| MKP385568016JKI2B0 | 6.8µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.709" W (31.50mm x 18.00mm) | MKP385568016JKI2B0.pdf | |
 | BK/GMD-V-1.25A | FUSE GLASS 1.25A 250VAC 5X20MM | BK/GMD-V-1.25A.pdf | |
 | 445I32K12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 8pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32K12M00000.pdf | |
 | CPPLT4-HT56P | 1MHz ~ 133MHz TTL XO (Standard) Programmable Oscillator Through Hole 5V 45mA Standby | CPPLT4-HT56P.pdf | |
| 1945-11F | 18µH Unshielded Molded Inductor 460mA 1.4 Ohm Max Axial | 1945-11F.pdf | |
 | ESR10EZPF33R0 | RES SMD 33 OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF33R0.pdf | |
 | MCR25JZHF88R7 | RES SMD 88.7 OHM 1% 1/4W 1210 | MCR25JZHF88R7.pdf | |
.jpg) | RT1210BRD0793K1L | RES SMD 93.1K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD0793K1L.pdf | |
| 45J22R | RES 22 OHM 5W 5% AXIAL | 45J22R.pdf |
