창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFSL4010PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFS(L)4010PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 106A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 215nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9575pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001567760 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFSL4010PBF | |
관련 링크 | IRFSL4, IRFSL4010PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
36DE224G015CD2A | 220000µF 15V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 1000 Hrs @ 85°C | 36DE224G015CD2A.pdf | ||
B43740A9828M3 | 8200µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 13 mOhm @ 100Hz 6000 Hrs @ 105°C | B43740A9828M3.pdf | ||
GRM033R71E222KA12D | 2200pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM033R71E222KA12D.pdf | ||
C0805C103K1GACTU | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C103K1GACTU.pdf | ||
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MCR18EZHF5233 | RES SMD 523K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHF5233.pdf | ||
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ERJ-1TNF8063U | RES SMD 806K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TNF8063U.pdf | ||
TNPW201047K0BEEY | RES SMD 47K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201047K0BEEY.pdf |