창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFSL7730PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(B,S,SL)7730PbF | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 407nC @ 10V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13660pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001557668 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFSL7730PBF | |
관련 링크 | IRFSL7, IRFSL7730PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CP00203R000JB143 | RES 3 OHM 20W 5% AXIAL | CP00203R000JB143.pdf | |
![]() | ATT-0238-08-SMA-02 | RF Attenuator 8dB ±0.75dB 0Hz ~ 4GHz 50 Ohm 2W SMA In-Line Module | ATT-0238-08-SMA-02.pdf |