창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFU024NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(R,U)024NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Addition 30/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 370pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | *IRFU024NPBF SP001552404 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFU024NPBF | |
관련 링크 | IRFU0, IRFU024NPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ0603D3R6CLCAC | 3.6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R6CLCAC.pdf | |
![]() | GRM1557U1H1R0CZ01D | 1pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1557U1H1R0CZ01D.pdf | |
![]() | T95S105K025HSAL | 1µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V 1507 (3718 Metric) 3.5 Ohm 0.143" L x 0.072" W (3.63mm x 1.83mm) | T95S105K025HSAL.pdf | |
![]() | CDBQR0230R | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0402 | CDBQR0230R.pdf | |
![]() | VS-VSKE320-08 | DIODE MODULE 800V MAGN-A-PAK | VS-VSKE320-08.pdf | |
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![]() | SU16VD-30030 | 30µH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 3A DCR 70 mOhm | SU16VD-30030.pdf | |
![]() | ERG-1SJ101V | RES 100 OHM 1W 5% AXIAL | ERG-1SJ101V.pdf | |
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