Infineon Technologies IRFU1018EPBF
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- IRFU1018EPBF
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- Infineon Technologies
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- FET - 단일
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- MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
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IRFU1018EPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFU1018EPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF(R,U)1018EPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFR1018EPBF Saber Model IRFR1018EPBF Spice Model | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 11/May/2016 Mult Dev EOL 15/May/2016 | |
| PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IPak Product Assembly Site Add 19/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1515 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 47A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2290pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | SP001565188 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFU1018EPBF | |
| 관련 링크 | IRFU10, IRFU1018EPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
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