Infineon Technologies IRFU13N20DPBF
;;3.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- IRFU13N20DPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFU13N20DPBF 가격 및 조달
가능 수량
5236 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 782.08400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFU13N20DPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFU13N20DPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFU13N20DPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFU13N20DPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFU13N20DPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFU13N20DPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF(R,U)13N20DPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | IPak Product Assembly Site Add 19/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1515 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 235m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 830pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRFU13N20DPBF SP001573640 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFU13N20DPBF | |
| 관련 링크 | IRFU13, IRFU13N20DPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFU13N20DPBF 의 관련 제품
 | EEE-0JA331P | 330µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | EEE-0JA331P.pdf | |
 | 250PK33MEFC10X20 | 33µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 250PK33MEFC10X20.pdf | |
-2.jpg) | C0402X5R1A471K | 470pF 10V 세라믹 커패시터 X5R 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402X5R1A471K.pdf | |
.jpg) | ECJ-1VB0J475M | 4.7µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | ECJ-1VB0J475M.pdf | |
 | DR1050-120-R | 12µH Shielded Wirewound Inductor 3.94A 30.4 mOhm Max Nonstandard | DR1050-120-R.pdf | |
.jpg) | CRCW06033K00FKEA | RES SMD 3K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06033K00FKEA.pdf | |
.jpg) | RT0805FRE076K49L | RES SMD 6.49K OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRE076K49L.pdf | |
 | ERJ-S02F5622X | RES SMD 56.2K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F5622X.pdf | |
 | ERJ-S12F6201U | RES SMD 6.2K OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F6201U.pdf | |
-TNPW-SERIES.jpg) | TNPW060311K3BEEN | RES SMD 11.3KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060311K3BEEN.pdf | |
| ML10R0FE-R52 | RES 10 OHM 1/2W 1% AXIAL | ML10R0FE-R52.pdf | |
 | OHD1-60B | SENSOR TEMP 60C 6W BREAK | OHD1-60B.pdf |
