창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFU4620PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFR/IRFU4620PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 11/May/2016 Mult Dev EOL 15/May/2016 | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IPak Product Assembly Site Add 19/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1515 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 78m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1710pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 144W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001573610 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFU4620PBF | |
관련 링크 | IRFU4, IRFU4620PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | UPW2V101MRD | 100µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | UPW2V101MRD.pdf | |
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![]() | 0612ZC684KAT2V | 0.68µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0612(1632 미터법) 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) | 0612ZC684KAT2V.pdf | |
![]() | MKT1817315255G | 0.015µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | MKT1817315255G.pdf | |
F17724682291 | 0.68µF Film Capacitor 310V 630V Polyester, Metallized Radial | F17724682291.pdf | ||
![]() | DF3A5.6LFU(TE85L,F | TVS DIODE 3.5VWM USM | DF3A5.6LFU(TE85L,F.pdf | |
![]() | S14K75 | VARISTOR 120V 4.5KA DISC 14MM | S14K75.pdf | |
![]() | 405C35E24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405C35E24M57600.pdf | |
![]() | GSIB6A60-E3/45 | DIODE 6A 600V GSIB-5S | GSIB6A60-E3/45.pdf | |
![]() | BLF6G27LS-50BN,118 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | BLF6G27LS-50BN,118.pdf | |
![]() | LQW2UASR22J00L | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 840 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | LQW2UASR22J00L.pdf | |
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