Fairchild Semiconductor IRFW630BTM_FP001

IRFW630BTM_FP001
제조업체 부품 번호
IRFW630BTM_FP001
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-IRFW630BTM_FP001
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRF(I,W)630B
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs400m옴 @ 4.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs29nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds720pF @ 25V
전력 - 최대3.13W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D²PAK
표준 포장 800
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFW630BTM_FP001
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