창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFZ44ESTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFZ44ESPbF, IRFZ44ELPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 48A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 29A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1360pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFZ44ESTRLPBF-ND IRFZ44ESTRLPBFTR SP001576296 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFZ44ESTRLPBF | |
관련 링크 | IRFZ44E, IRFZ44ESTRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | GRM0335C1E4R8BD01D | 4.8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E4R8BD01D.pdf | |
![]() | MKP385416100JKM2T0 | 0.16µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.354" W (31.50mm x 9.00mm) | MKP385416100JKM2T0.pdf | |
![]() | BZW04-8V5BHE3/54 | TVS DIODE 8.55VWM DO204AL | BZW04-8V5BHE3/54.pdf | |
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