Infineon Technologies IRFZ46ZPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFZ46ZPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFZ46ZPBF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 934.05300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFZ46ZPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFZ46ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFZ46ZPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFZ46ZPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFZ46ZPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFZ46ZPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRFZ46Z(S,L)PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFZ46ZL Saber Model IRFZ46ZL Spice Model | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 11/May/2016 Mult Dev EOL 15/May/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 51A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.6m옴 @ 31A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1460pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 82W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFZ46ZPBF SP001571882 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFZ46ZPBF | |
| 관련 링크 | IRFZ4, IRFZ46ZPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFZ46ZPBF 의 관련 제품
 | SR301A103JAR | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.300" L x 0.125" W(7.62mm x 3.18mm) | SR301A103JAR.pdf | |
.jpg) | CGA2B2X8R1H221M050BE | 220pF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B2X8R1H221M050BE.pdf | |
 | SL10 50001-B | ICL 50 OHM 25% 1.1A 10MM | SL10 50001-B.pdf | |
 | P6SMB24CA-M3/52 | TVS DIODE 20.5VWM 33.2VC DO-214A | P6SMB24CA-M3/52.pdf | |
 | ECS-135.6-12-33Q-DS | 13.56MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-135.6-12-33Q-DS.pdf | |
 | SIT9001AC-33-33E1-30.00000X | OSC XO 3.3V 30MHZ OE 1.0% | SIT9001AC-33-33E1-30.00000X.pdf | |
 | IXFP3N50PM | MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220 | IXFP3N50PM.pdf | |
-MHQ-Series.jpg) | MHQ1005P3N8ST000 | 3.8nH Unshielded Multilayer Inductor 900mA 100 mOhm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P3N8ST000.pdf | |
| S0402-4N7J3C | 4.7nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 150 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-4N7J3C.pdf | |
 | RG2012V-3650-B-T5 | RES SMD 365 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012V-3650-B-T5.pdf | |
 | CRCW04026R49FKEDHP | RES SMD 6.49 OHM 1% 1/5W 0402 | CRCW04026R49FKEDHP.pdf | |
| HDDC24-24P-RSMA | 2.4GHz Parabolic Grid RF Antenna 24dBi Connector, N Female Bracket Mount | HDDC24-24P-RSMA.pdf |
