창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRG7PH30K10PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRG7PH30K10PBF | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 30/Mar/2016 Mult Device EOL REV 11/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 33A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 27A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 9A | |
전력 - 최대 | 210W | |
스위칭 에너지 | 530µJ(켜기), 380µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 45nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 14ns/110ns | |
테스트 조건 | 600V, 9A, 22 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | SP001537520 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRG7PH30K10PBF | |
관련 링크 | IRG7PH3, IRG7PH30K10PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | RG1608N-9092-W-T1 | RES SMD 90.9K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-9092-W-T1.pdf | |
![]() | RT2512BKE07267KL | RES SMD 267K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE07267KL.pdf | |
![]() | CF12JT3R90 | RES 3.9 OHM 1/2W 5% CARBON FILM | CF12JT3R90.pdf | |
![]() | W3017 | 2.3GHz Chip RF Antenna 2.32GHz ~ 2.345GHz 2.7dBi Solder Surface Mount | W3017.pdf |