창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRG7PH35UPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRG7PH35UPBF/U-EP | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 30/Mar/2016 Mult Device EOL REV 11/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 55A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 60A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A | |
전력 - 최대 | 210W | |
스위칭 에너지 | 1.06mJ(켜기), 620µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 85nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 30ns/160ns | |
테스트 조건 | 600V, 20A, 10옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | SP001545868 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRG7PH35UPBF | |
관련 링크 | IRG7PH, IRG7PH35UPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ1206A121JBLAT4X | 120pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A121JBLAT4X.pdf | |
![]() | SPFI004.L | FUSE CARTRIDGE 4A 1KVDC CYLINDR | SPFI004.L.pdf | |
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![]() | FXO-HC325R-51.2 | 51.2MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 29mA Enable/Disable | FXO-HC325R-51.2.pdf | |
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![]() | SC54-100 | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 2.2A 100 mOhm Max Nonstandard | SC54-100.pdf | |
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![]() | RMCP2010JT5R10 | RES SMD 5.1 OHM 5% 1W 2010 | RMCP2010JT5R10.pdf | |
![]() | MBA02040C5902FRP00 | RES 59K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C5902FRP00.pdf | |
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