창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRGR3B60KD2PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRGR3B60KD2PbF | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Diode Supplier 01/Apr/2014 Alternate Diode Supplier Retraction 04/Apr/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | Mold Compound/Alternate Fab Site 06/Feb/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | NPT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 7.8A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 15.6A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 3A | |
전력 - 최대 | 52W | |
스위칭 에너지 | 62µJ(켜기), 39µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 13nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 18ns/110ns | |
테스트 조건 | 400V, 3A, 100 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 77ns | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 63-4001PBF 63-4001PBF-ND SP001541740 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRGR3B60KD2PBF | |
관련 링크 | IRGR3B6, IRGR3B60KD2PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | MBA02040C1211FCT00 | RES 1.21K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1211FCT00.pdf | |
![]() | RNF18BTD13K3 | RES 13.3K OHM 1/8W .1% AXIAL | RNF18BTD13K3.pdf | |
![]() | CMF5082R500FKEA | RES 82.5 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5082R500FKEA.pdf | |
![]() | MW7IC930GNR1 | RF Amplifier IC W-CDMA 728MHz ~ 768MHz, 920MHz ~ 960MHz TO-270 WBL-16 GULL | MW7IC930GNR1.pdf | |
![]() | LIS2DS12TR | Accelerometer X, Y, Z Axis ±2g, 4g, 8g, 16g 6.25Hz ~ 3.2kHz 12-LGA (2x2) | LIS2DS12TR.pdf |