창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRGR4045DPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRGR4045DPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
주요제품 | IRGR4045DPBF and IRGS4045DPBF IGBTs | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IGBT Die Alternate Source 18/Nov/2013 Assembly Site Addition 17/Jun/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 12A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 18A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 6A | |
전력 - 최대 | 77W | |
스위칭 에너지 | 56µJ(켜기), 122µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 19.5nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 27ns/75ns | |
테스트 조건 | 400V, 6A, 47 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 74ns | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 63-4004PBF 63-4004PBF-ND SP001546144 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRGR4045DPBF | |
관련 링크 | IRGR40, IRGR4045DPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | FA24X7R2E102KNU06 | 1000pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.177" L x 0.118" W(4.50mm x 3.00mm) | FA24X7R2E102KNU06.pdf | |
![]() | D330G25C0GL63J5R | 33pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D330G25C0GL63J5R.pdf | |
![]() | ECW-F6123JL | 0.012µF Film Capacitor 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.217" W (12.50mm x 5.50mm) | ECW-F6123JL.pdf | |
893D475X9025C2TE3 | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2312 (6032 Metric) 1.9 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | 893D475X9025C2TE3.pdf | ||
![]() | CM309E20000000BBAT | 20MHz ±50ppm 수정 시리즈 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E20000000BBAT.pdf | |
![]() | 416F520X3IST | 52MHz ±15ppm 수정 시리즈 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F520X3IST.pdf | |
![]() | 1SS389-G | DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SOD523 | 1SS389-G.pdf | |
![]() | 3090R-182H | 1.8µH Unshielded Inductor 245mA 1.25 Ohm Max 2-SMD | 3090R-182H.pdf | |
![]() | CR0603-JW-390GLF | RES SMD 39 OHM 5% 1/10W 0603 | CR0603-JW-390GLF.pdf | |
![]() | RT1210WRB0724K3L | RES SMD 24.3KOHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRB0724K3L.pdf | |
![]() | Y11215K11000B9L | RES SMD 5.11K OHM 1/4W 2512 | Y11215K11000B9L.pdf | |
![]() | NKN3WSJR-73-0R16 | RES 0.16 OHM 3W 5% AXIAL | NKN3WSJR-73-0R16.pdf |