창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRGS10B60KDPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRG(B,S,SL)10B60KDPbF | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | IGBT D2Pak Mold Compound 16/Sep/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Diode Supplier 01/Apr/2014 Alternate Diode Supplier Retraction 04/Apr/2014 Assembly Site Addition 10/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | NPT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 22A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 44A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 10A | |
전력 - 최대 | 156W | |
스위칭 에너지 | 140µJ(켜기), 250µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 38nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 30ns/230ns | |
테스트 조건 | 400V, 10A, 47 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 90ns | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRGS10B60KDPBF SP001540990 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRGS10B60KDPBF | |
관련 링크 | IRGS10B, IRGS10B60KDPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CMF55332K00FHEB | RES 332K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55332K00FHEB.pdf | |
![]() | PSAH0000 | NPN O.C. HALL EFFECT SENSOR | PSAH0000.pdf | |
![]() | P51-750-A-Y-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-750-A-Y-D-5V-000-000.pdf |