창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRGS30B60KTRRP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRG(B,S,SL)30B60KPbF | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Addition 10/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | NPT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 78A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 120A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 30A | |
전력 - 최대 | 370W | |
스위칭 에너지 | 350µJ(켜기), 825µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 102nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 46ns/185ns | |
테스트 조건 | 400V, 30A, 10 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRGS30B60KTRRP-ND IRGS30B60KTRRPTR SP001535976 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRGS30B60KTRRP | |
관련 링크 | IRGS30B, IRGS30B60KTRRP Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | 336CKS160M | 33µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 10.048 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 336CKS160M.pdf | |
![]() | 381LX151M400J042 | 150µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.326 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | 381LX151M400J042.pdf | |
![]() | C4532NP02W683J320KA | 0.068µF 450V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C4532NP02W683J320KA.pdf | |
![]() | GCJ32ER70J476KE01L | 47µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | GCJ32ER70J476KE01L.pdf | |
![]() | ECQ-E6155KFW | 1.5µF Film Capacitor 630V Polyester, Metallized Radial 1.220" L x 0.602" W (31.00mm x 15.30mm) | ECQ-E6155KFW.pdf | |
![]() | 403C35S32M00000 | 32MHz ±30ppm 수정 시리즈 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C35S32M00000.pdf | |
![]() | 416F25025ATT | 25MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25025ATT.pdf | |
![]() | DSC1001CL2-005.6450T | 5.645MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001CL2-005.6450T.pdf | |
![]() | 48330SC | 33µH Shielded Wirewound Inductor 2.8A 73 mOhm Max Nonstandard | 48330SC.pdf | |
![]() | RG2012N-132-W-T5 | RES SMD 1.3K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-132-W-T5.pdf | |
![]() | SM2615JT39R0 | RES SMD 39 OHM 5% 1W 2615 | SM2615JT39R0.pdf | |
![]() | RNF18FTC34K0 | RES 34K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTC34K0.pdf |