창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL1004STRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRL1004SPbF, IRL1004LPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 11/May/2016 Mult Dev EOL 15/May/2016 | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 78A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5330pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRL1004STRLPBF-ND IRL1004STRLPBFTR SP001571818 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRL1004STRLPBF | |
관련 링크 | IRL1004, IRL1004STRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | HRG3216P-1541-D-T1 | RES SMD 1.54K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-1541-D-T1.pdf | |
![]() | PHP00603E1621BBT1 | RES SMD 1.62K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1621BBT1.pdf | |
![]() | 746X101272JP | RES ARRAY 8 RES 2.7K OHM 1206 | 746X101272JP.pdf | |
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![]() | RSF2GB1K60 | RES MO 2W 1.6K OHM 2% AXIAL | RSF2GB1K60.pdf | |
![]() | SL-F250 | CASCADE CABLE 250MM PLC I/O UNIT | SL-F250.pdf | |
OPB390L55Z | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU | OPB390L55Z.pdf |