창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL2203NSTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRL2203N(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRL2203NS Saber Model IRL2203NS Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1516 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 116A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3290pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRL2203NSTRLPBF-ND IRL2203NSTRLPBFTR SP001568324 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRL2203NSTRLPBF | |
관련 링크 | IRL2203, IRL2203NSTRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
B43231C1108M | 1000µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | B43231C1108M.pdf | ||
GRT155R60J475ME13D | 4.7µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRT155R60J475ME13D.pdf | ||
SR201C223KAATR1 | 0.022µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR201C223KAATR1.pdf | ||
08052A111GAT2A | 110pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052A111GAT2A.pdf | ||
VJ0402D390KLXAJ | 39pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D390KLXAJ.pdf | ||
7M24000110 | 24MHz ±30ppm 수정 10pF -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M24000110.pdf | ||
ASEMB-BLANK-XC | 1MHz ~ 150MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby | ASEMB-BLANK-XC.pdf | ||
RG1608P-1130-B-T5 | RES SMD 113 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608P-1130-B-T5.pdf | ||
SFR2500005492FR500 | RES 54.9K OHM 0.4W 1% AXIAL | SFR2500005492FR500.pdf | ||
RSF12JBR750 | RES MO 1/2W 0.75 OHM 5% AXIAL | RSF12JBR750.pdf | ||
RC12KT15K0 | RES 15K OHM 1/2W 10% AXIAL | RC12KT15K0.pdf | ||
40F3K9E | RES 3.9K OHM 10W 1% AXIAL | 40F3K9E.pdf |