창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL3705ZLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRL3705Z(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRL3705ZL Saber Model IRL3705ZL Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Fab Transfer 15/Jul/2013 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 52A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2880pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 130W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRL3705ZLPBF SP001576270 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRL3705ZLPBF | |
관련 링크 | IRL370, IRL3705ZLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | SLP221M315C3P3 | 220µF 315V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.508 Ohm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | SLP221M315C3P3.pdf | |
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![]() | ESR18EZPJ5R6 | RES SMD 5.6 OHM 5% 1/3W 1206 | ESR18EZPJ5R6.pdf | |
![]() | RC1608J103CS | RES SMD 10K OHM 5% 1/10W 0603 | RC1608J103CS.pdf | |
![]() | RP73D2A54R9BTG | RES SMD 54.9 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A54R9BTG.pdf | |
![]() | SFR2500003651FR500 | RES 3.65K OHM 0.4W 1% AXIAL | SFR2500003651FR500.pdf | |
![]() | CMF55499R00FKEK70 | RES 499 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55499R00FKEK70.pdf | |
![]() | 80F15R | RES 15 OHM 10W 1% AXIAL | 80F15R.pdf | |
![]() | Y60712K00000B9L | RES 2K OHM 0.3W 0.1% RADIAL | Y60712K00000B9L.pdf | |
CC-WMX-LD69-VM-B | RF TXRX MODULE WIFI U.FL ANT | CC-WMX-LD69-VM-B.pdf |