창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL3713SPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRL3713PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRL3713PBF Saber Model IRL3713PBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 260A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 38A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5890pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001558042 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRL3713SPBF | |
관련 링크 | IRL37, IRL3713SPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 2EZ5.6D2E3/TR8 | DIODE ZENER 5.6V 2W DO204AL | 2EZ5.6D2E3/TR8.pdf | |
![]() | FDG6301N | MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6 | FDG6301N.pdf | |
![]() | PFC-W0805LF-03-1152-B | RES SMD 11.5K OHM 0.1% 1/4W 0805 | PFC-W0805LF-03-1152-B.pdf | |
![]() | LTR50UZPJ563 | RES SMD 56K OHM 1W 2010 WIDE | LTR50UZPJ563.pdf | |
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![]() | RSF200JB-73-12R | RES 12 OHM 2W 5% AXIAL | RSF200JB-73-12R.pdf | |
![]() | P51-1500-S-B-I36-20MA-000-000 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-1500-S-B-I36-20MA-000-000.pdf |