창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL530NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRL530NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRL530NPBF Saber Model IRL530NPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRL530NPBF 64-0095PBF 64-0095PBF-ND SP001578734 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRL530NPBF | |
관련 링크 | IRL53, IRL530NPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ0805D910GXBAJ | 91pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D910GXBAJ.pdf | |
![]() | BFC238341124 | 0.12µF Film Capacitor 500V 1400V (1.4kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) | BFC238341124.pdf | |
![]() | T049245 | GAS DISCHARGE TUBE | T049245.pdf | |
![]() | SL225 R012B | ICL 5 OHM 15% 12A 22MM | SL225 R012B.pdf | |
![]() | 2890-39J | 68µH Unshielded Molded Inductor 325mA 1.85 Ohm Max Axial | 2890-39J.pdf | |
![]() | RMCF0805FG7K50 | RES SMD 7.5K OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FG7K50.pdf | |
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![]() | RCG040222K0JNED | RES SMD 22K OHM 5% 1/16W 0402 | RCG040222K0JNED.pdf | |
RSMF1JB1K80 | RES MO 1W 1.8K OHM 5% AXIAL | RSMF1JB1K80.pdf |