Infineon Technologies IRL7486MTRPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRL7486MTRPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 209A
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRL7486MTRPBF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 978.53183
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRL7486MTRPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRL7486MTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL7486MTRPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRL7486MTRPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRL7486MTRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL7486MTRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRL7486MTRPbF | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 209A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.25m옴 @ 123A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 111nC @ 4.5V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6904pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DirectFET™ Isometric MD | |
| 공급 장치 패키지 | DirectFET™ Isometric MD | |
| 표준 포장 | 4,800 | |
| 다른 이름 | IRL7486MTRPBF-ND IRL7486MTRPBFTR SP001567046 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRL7486MTRPBF | |
| 관련 링크 | IRL748, IRL7486MTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRL7486MTRPBF 의 관련 제품
 | TCM1A475M8R | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 10V 0603 (1608 Metric) 9 Ohm 0.063" L x 0.033" W (1.60mm x 0.85mm) | TCM1A475M8R.pdf | |
 | 170M2664 | FUSE SQ 100A 700VAC RECTANGULAR | 170M2664.pdf | |
 | 416F52011CSR | 52MHz ±10ppm 수정 시리즈 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52011CSR.pdf | |
 | MMSF3P02HDR2G | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC | MMSF3P02HDR2G.pdf | |
 | 2N6661JTXV02 | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 | 2N6661JTXV02.pdf | |
 | IPA60R450E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220 | IPA60R450E6XKSA1.pdf | |
.jpg) | CRGH0603J82K | RES SMD 82K OHM 5% 1/5W 0603 | CRGH0603J82K.pdf | |
 | PAT0603E2232BST1 | RES SMD 22.3KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E2232BST1.pdf | |
 | RSMF1JBR820 | RES MO 1W 0.82 OHM 5% AXIAL | RSMF1JBR820.pdf | |
 | CMF551K6700BHRE | RES 1.67K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551K6700BHRE.pdf | |
| ECHO10/X/X/S/S/7 | GSM 02DBI GAIN DUAL BAND PCB MOU | ECHO10/X/X/S/S/7.pdf | |
 | TNY253PN | Converter Offline Flyback Topology 44kHz 8-DIP | TNY253PN.pdf |
